Podłoże ceramiczne z azotku krzemu dla elektroniki

Podłoże ceramiczne z azotku krzemu dla elektroniki

Podłoże ceramiczne z azotku krzemu do elektroniki to specjalistyczny rodzaj materiału ceramicznego stosowanego w różnych zastosowaniach przemysłowych, gdzie wymagana jest wysoka wytrzymałość, trwałość i stabilność termiczna. Wykonany jest z połączenia krzemu, azotu i innych pierwiastków, które nadają mu unikalne właściwości mechaniczne, termiczne i chemiczne.

Podłoże ceramiczne Si3N4 ma wyjątkową wytrzymałość mechaniczną, dzięki czemu jest wysoce odporne na zużycie i uszkodzenia spowodowane uderzeniami i ściskaniem. Jest również wysoce odporny na wstrząsy termiczne, jest w stanie wytrzymać szybkie zmiany temperatury bez pękania i pękania. Dzięki temu idealnie nadaje się do stosowania w branżach wysokotemperaturowych, takich jak przemysł lotniczy, inżynieria samochodowa i inne obszary, w których konieczne jest odprowadzanie ciepła.

Oprócz właściwości mechanicznych i termicznych podłoże ceramiczne Si3N4 zapewnia również doskonałą izolację elektryczną i dobrą odporność na korozję w trudnych warunkach. Jest stosowany w elektronice i półprzewodnikach, takich jak moduły mocy i elektronika wysokotemperaturowa, ze względu na doskonałe właściwości rozpraszania ciepła i izolacji.

Ogólnie rzecz biorąc, podłoże ceramiczne z azotku krzemu Si3N4 jest wyjątkowym materiałem o szerokim spektrum zastosowań. Jego wyjątkowa wytrzymałość mechaniczna, stabilność termiczna, izolacja elektryczna i odporność chemiczna sprawiają, że idealnie nadaje się do różnych zastosowań przemysłowych i elektronicznych, gdzie niezawodność i wydajność są czynnikami krytycznymi.

Podłoże ceramiczne z azotku krzemu Torbo® dla elektroniki

Artykuł: Podłoże z azotku krzemu

Materiał: Si3N4

Kolor: szary

Grubość: 0,25-1 mm

Obróbka powierzchniowa:Podwójnie polerowana

Gęstość nasypowa: 3,24 g/㎤

Chropowatość powierzchni Ra: 0,4 μm

Wytrzymałość na zginanie: (metoda 3-punktowa): 600-1000Mpa

Moduł sprężystości: 310Gpa

Odporność na pękanie (metoda IF): 6,5 MPa･√m

Przewodność cieplna: 25°C 15-85 W/(m･K)

Współczynnik strat dielektrycznych: 0,4

Rezystywność skrośna: 25°C >1014 Ω･㎝

Siła przebicia: DC > 15㎸/㎜